삼성 HBM 양산에도...'엔비디아 치맥 회동' 하이닉스, 시장 지위 굳건 [HBM 게임체인징]

|스마트투데이=황태규 기자| 최근 삼성전자가 고대역폭메모리4(HBM4)를 세계 최초로 출하하며 추격에 박차를 가하고 있지만 SK하이닉스의 엔비디아와의 공고한 파트너십을 극복하기 쉽지 않을 것이란 전망이 나온다.

최근 미국을 방문한 최태원 SK그룹 회장이 젠슨 황 최고경영자와 만나 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 들어갈 초기 HBM4 물량 약 60%를 SK하이닉스가 담당하는 내용의 협의를 한 것으로 알려졌기 때문이다. 

● SK하이닉스 HBM 시장 지배력 재확인 

20일 관련업계에 따르면 2026년 글로벌 반도체 시장은 AI 수요 폭증으로 메모리 섹터가 30% 이상 고성장을 주도하고 있으며, 그 규모는 1조 달러에 육박한다. 

이 중에서 HBM 시장 주도권을 잡고 있는 기업은 SK하이닉스다. SK하이닉스는 엔비디아의 대량 공급자로 자리매김하며, 단순 메모리 판매를 넘어 AI 인프라 설계 파트너로 진화하고 있다는 평가다. 

경쟁사 대비 SK하이닉스의 시장 우위는 엔비디아 '베라 루빈' 플랫폼에서 뚜렷하다. 이 플랫폼의 HBM4 초기 물량 약 60%를 SK하이닉스가 확보하며, 기존 HBM3E 시장 60%대 점유율을 유지한다.  

엔비디아는 '듀얼 빈(Dual Bin)' 전략으로 고성능 티어(삼성 13Gbps)와 안정적 볼륨 티어(SK하이닉스 11.7Gbps)를 나누지만, SK하이닉스는 높은 수율(생산 성공률)을 바탕으로 점유율 유지에 성공했다는 평가다.  

이에 SK하이닉스는 올해도 HBM 시장 리더십을 이어갈 것으로 보인다. 업계 전문가들은 2025년 2분기 기준 HBM 시장 점유율 62%를 차지했던 하이닉스가 2026년에도 50% 아래로 추락하는 일은 없을 것이라 전망한다. HBM 시장을 장악한 SK하이닉스가 가진 안정성이 엔비디아의 총소유비용(TCO) 최적화에 필수적이기 때문이다. 

● 기술적 우위도...MR-MUF와 TSMC 협력 

SK하이닉스의 기술적 강점은 '어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)' 공정에 있다. 이는 HBM4 16단 적층에서 30미크론(μm)의 얇은 웨이퍼를 국제 표준(JEDEC) 높이(775μm)로 구현하며, 열 발산을 36% 개선하고 수율을 극대화하는 '원스톱' 방식이다. 삼성의 TC-NCF(Thermal Compression Non-Conductive Film) 대비 열전도율이 높아 안정적이다. 

또한 TSMC와의 업무 협약(MOU)으로 12나노미터(nm)/5nm 로직을 베이스 다이에 통합한 '커스텀 HBM'을 개발, DTCO(설계-공정 최적화)를 강화했다. 이는 삼성의 1c D램(수율 50~60%) 대비 SK하이닉스의 80~90% 수율 우위를 만들며, HBM4 가격 프리미엄(30% 이상)을 뒷받침한다. 

● 청주, 용인에 생산 거점 마련..."우위 지속될 것" 

SK하이닉스는 청주 패키징 공장(P&T7 팹, 2027년 완공)에 M15X 공장(2026년 2월 가동)을 더해 HBM4 원스톱 생산 체계를 구축한다. 이는 전공정(웨이퍼)부터 후공정(패키징)까지 효율화하며, 지역 균형 발전과 공급망 안정성을 고려한 선택이다. 또한, 2027년 가동 예정인 용인 클러스터 1기 팹은 HBM4E/HBM5 연구개발·양산 거점이 될 예정이다. 

이런 이유 등으로 삼성의 발 빠른 HBM4 양산에도 불구하고, SK하이닉스의 시장 리더십은 이어질 것이란 의견이 나온다. 

업계 전문가는 "하이닉스가 보유한 수율 우위, 엔비디아-TSMC 삼각 동맹, 19조 원대 인프라 투자는 경쟁사 대비 보유한 확실한 강점"이라며 "국제 정세에 따른 리스크는 언제든 발생할 수 있지만, 기술적 우위 덕분에 하이닉스는 HBM4를 넘어 다음 세대까지 AI 메모리 리더십을 이어갈 가능성이 크다"고 말했다.