삼성전자, ASML 차세대 EUV 2028년 메모리 양산 투입…TSMC·인텔과 마스크 규격 전환 공동 추진

|스마트투데이=김나연 기자| 삼성전자가 대당 4억 달러에 달하는 네덜란드 ASML의 차세대 하이 NA(High NA·고개구율) 극자외선(EUV) 노광장비를 2028년까지 컴퓨터 메모리 대량 양산에 전격 도입한다. 또한 급증하는 인공지능(AI) 수요에 맞춰 반도체 회로 원판인 포토마스크 규격을 기존 6인치에서 12인치로 확대하는 대대적인 공정 전환을 글로벌 제조사들과 함께 추진하기로 합의했다.

삼성전자는 8일 성명을 통해 대당 4억 달러에 달하는 최신 하이 NA 장비를 2028년까지 컴퓨터 메모리 대량 양산 라인에 선제 투입한다는 구체적 로드맵을 확정했다고 밝혔다. 글로벌 메모리 1위 기업이자 파운드리 사업을 함께 영위하는 삼성전자의 이번 결정은 AI 데이터센터 운영사들의 대규모 수요로 촉발된 글로벌 메모리 공급 부족 사태 속에서 나온 조치로 분석된다. 현재 이어지는 메모리 품귀 현상이 전자 산업 전반의 완제품 가격 상승을 견인하고 있다는 평가다.

하이 NA EUV는 미세공정의 물리적 한계를 극복할 차세대 장비다.  렌즈의 빛 집광 능력을 뜻하는 개구율(NA)을 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 웨이퍼에 훨씬 미세한 회로를 한 번에 새길 수 있는 것이 특징이다. 회로를 여러 번 나누어 찍는 복잡한 멀티 패터닝 공정을 대폭 줄여, 차세대 AI 반도체의 생산성과 원가 경쟁력을 높일 핵심 기술로 꼽힌다.

이번 합의에 따라 삼성전자와 TSMC, 인텔 등 글로벌 3대 반도체 제조사가 모두 ASML의 차세대 하이 NA 도입 대열에 합류하게 됐다. 이들은 장비 도입에 그치지 않고 반도체 회로 원판인 포토마스크 규격을 6인치에서 12인치로 전환하는 데에도 합의했다. 대형 마스크 도입은 기술적 한계와 비용 부담 탓에 수십 년간 미뤄진 과제였으나, 글로벌 선두 기업들이 협업에 나서면서 보다 빠르게 상용화될 것으로 전망된다.

마르코 피터스 ASML 최고기술책임자(CTO)는 블룸버그와의 인터뷰를 통해 12인치 규격을 적용하면 장비 효율이 40% 향상되고 회로 설계도 간단해진다고 밝혔다. 마르코 피터스 최고기술책임자(CTO)는 "생산성을 비약적으로 높일 수 있는 엄청난 기회"라고 말했다.