"HBM" 검색 결과

SK하이닉스, 청주 M15X에 5.3조 투자..HBM 핵심기지 만든다

SK하이닉스, 청주 M15X에 5.3조 투자..HBM 핵심기지 만든다

SK하이닉스가 AI용 반도체 HBM(고대역폭메모리)의 압도적 1위 굳히기에 나선다.    SK하이닉스가 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파) 확장에 ...
SK하이닉스, 압도적 HBM 경쟁력..1분기 영업이익 2.7조 추정-메리츠

SK하이닉스, 압도적 HBM 경쟁력..1분기 영업이익 2.7조 추정-메리츠

메리츠증권은 22일 SK하이닉스에 대해 지난 1분기 HBM(고대역폭메모리)의 압도적 경쟁력을 바탕으로 영업이익이 직전 분기보다 680% 증가한 2조7000억원에 달할 것으로 추정하고 목표주가를 종전 19만원에서 22만원으로 상향조정했다. 현재 시장 컨센서스 1조8000...
SK하이닉스, TSMC와 2026년 양산 HBM4 공동개발

SK하이닉스, TSMC와 2026년 양산 HBM4 공동개발

SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스에 따르면 두 회사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했고, SK하이닉스는 TSMC와 협...
한미반도체, 마이크론에 HBM 장비 공급...목표가 30%↑-현대차증권

한미반도체, 마이크론에 HBM 장비 공급...목표가 30%↑-현대차증권

현대차증권은 12일 한미반도체 목표주가를 종전 20만원에서 26만원으로 30% 상향조정하고 매수 의견을 유지했다. 미국 반도체 업체 마이크론으로의 HBM(고대역폭메모리) 장비 공급 계약을 반영해서다. 목표주가 상향은 불과 20일만이다.  한미반도체는 지난 11...
한미반도체, 마이크론에 HBM 장비 공급 개시

한미반도체, 마이크론에 HBM 장비 공급 개시

한미반도체가 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론에 HBM(고대역폭메모리) 제조용 장비 공급을 개시했다.  한미반도체는 11일 마이크론(MICRON)에 226억원 규모의 HBM 제조용 'DUAL TC BONDER TIGER' 장비를 공급키로 했다고 공시했...
SK하이닉스, 미 인디애나에 HBM 패키징 공장 건설..5.2조 투자

SK하이닉스, 미 인디애나에 HBM 패키징 공장 건설..5.2조 투자

SK하이닉스가 미국 인디애나에 5조2000억원을 투자, HBM(고대역폭메모리) 등 AI 반도체 패키징 공장을 짓는다.  SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀(Pur...
SK하이닉스, ‘HBM3E’ 대규모 양산…엔비디아 납품 시작

SK하이닉스, ‘HBM3E’ 대규모 양산…엔비디아 납품 시작

SK하이닉스가 엔비디아에 HBM 5세대 HBM3E D램 납품을 개시한다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에...
한미반도체, HBM4 적층 높이 완화 최대 수혜주-KB

한미반도체, HBM4 적층 높이 완화 최대 수혜주-KB

KB증권은 11일 한미반도체에 대해 HBM4 적층 높이 완화에 따른 최대 수혜가 예상된다며 회사의 'TC 본더' 제품의 독주가 최소 2년 이상 지속될 것이라고 예상했다.  박주영 연구원은 "JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 HBM4 적층 높이를 775&mu...
SK하이닉스, 올해 첨단 패키징 공정에 1.3조 이상 투자..HBM 압도적 우위 굳히기

SK하이닉스, 올해 첨단 패키징 공정에 1.3조 이상 투자..HBM 압도적 우위 굳히기

SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 반도체로 자리 잡은 고대역폭메모리(HBM) 수요를 감당하기 위해 올해 첨단 반도체 패키징 공정에 10억달러(약 1조3316억원) 이상을 투자할 계획이라고 블룸버그가 7일 보도했다.  블룸버그는 이날 SK하이닉스 이...
삼성전자, 36GB 12단 HBM3E 개발…

삼성전자, 36GB 12단 HBM3E 개발…"샘플 전달·상반기 양산"

삼성전자는 업계 최초로 36GB HBM3E 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silic...

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