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"미세공정" 검색 결과

삼성전자 파운드리, 14나노 RFIC 반도체 설계 공정 가속화

삼성전자 파운드리, 14나노 RFIC 반도체 설계 공정 가속화

삼성전자 파운드리 사업부의 4세대 14나노(nm) 공정의 무선 주파수 집적회로(RFIC) 설계 속도가 앤시스(Ansys)와 시높시스(Synopsys)의 새로운 솔루션을 통해 대폭 개선된다. 글로벌 엔지니어링 시뮬레이션 전문 기업 앤시스코리아는 시높시스와 협력해 삼성전자...
삼성전자, ASML 차세대 EUV 2028년 메모리 양산 투입…TSMC·인텔과 마스크 규격 전환 공동 추진

삼성전자, ASML 차세대 EUV 2028년 메모리 양산 투입…TSMC·인텔과 마스크 규격 전환 공동 추진

삼성전자가 대당 4억 달러에 달하는 네덜란드 ASML의 차세대 하이 NA(High NA·고개구율) 극자외선(EUV) 노광장비를 2028년까지 컴퓨터 메모리 대량 양산에 전격 도입한다. 또한 급증하는 인공지능(AI) 수요에 맞춰 반도체 회로 원판인 포토마스크 규격을 기존...
테크윙, 악재의 끝자락..다가올 호재에 주목-삼성

테크윙, 악재의 끝자락..다가올 호재에 주목-삼성

 삼성증권은 반도체 검사 장비 업체 테크윙에 대해 단기 악재보다 다가올 호재에 주목해야 할 때라고 11일 밝혔다.  이에 따르면 테크윙은 지난 10일 기업설명회를 개최했다. 이 자리에서 내년 HBM 검사용 큐브 프로버(Cube Prober) 가이던스를...
다겸, 10월 누적 매출 37억원..전년 온기 매출 돌파

다겸, 10월 누적 매출 37억원..전년 온기 매출 돌파

미세공정 AI 카메라 전문 개발 업체 다겸은 10월 말 기준 매출 약 37억원으로 전년도 전체 매출(30.7억원)을 돌파했다고 14일 밝혔다. 분기별로 보자면 작년 동월 대비 약 50% 증가하였으며 영업이익률도 25% 이상을 달성했다고 밝혔다.  다겸은 작년 ...
SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발

SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.  이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 “10...
SK하이닉스, 발명의 날 철탑산업훈장 수상

SK하이닉스, 발명의 날 철탑산업훈장 수상

SK하이닉스는 제59회 발명의 날 기념식에서 김종환 부사장이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장이 국무총리표창을 수상했다고 22일 밝혔다. 특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며, 공적에 따라 산업훈장&middo...
삼성액티브, 차세대 테크 핵심 소재 ETF 상장

삼성액티브, 차세대 테크 핵심 소재 ETF 상장

반도체와 2차전지의 핵심 기술에 적용되는 차세대 소재 관련 기업을 선별해 투자하는 ETF가 국내에 첫 선을 보인다. 삼성액티브자산운용은 ‘KoAct’의 다섯 번째 ETF로 KoAct테크핵심소재공급망액티브를 14일 상장한다고 밝혔다. 지금까지의 첨단...
이재용 회장, 獨 자이스 본사 방문..'반도체 생산 수율 높인다'

이재용 회장, 獨 자이스 본사 방문..'반도체 생산 수율 높인다'

이재용 삼성전자 회장은 지난 26일(현지 시간) 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문, 칼 람프레히트(Karl Lamprecht) CEO 등 자이스 경영진과 양사 협력 강화 방안을 논의했다고 28일 삼성그룹이 밝혔다.  자이스는 첨단 반도체 ...
고객확보·차세대 공정으로 앞서가는 'TSMC'…삼성전자 파운드리 운명은?

고객확보·차세대 공정으로 앞서가는 'TSMC'…삼성전자 파운드리 운명은?

삼성전자가 올 한해 파운드리(위탁생산) 사업에서 좋은 실적을 보여주지 못하고 있는 가운데, 최근 라이벌 기업인 TSMC와 인텔이 대규모 투자와 고객 유치로 승승장구 중인 것으로 나타났다 전 세계 파운드리 업체 1위 TSMC는 1.4나노(nm) 공정 개발을 준비하고, 3...
인텔, 트랜지스터 1조개 탑재하는 3D 적층형 CMOS 기술 공개…

인텔, 트랜지스터 1조개 탑재하는 3D 적층형 CMOS 기술 공개…"무어의 법칙 이어갈 것"

인텔이 후면 전력 공급 기술과 후면 직접 접촉 기술을 적용한 3D 적층형 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 기술을 공개했다. 인텔은 이를 통해 단일 패키지에 1조 개의 트랜지스터를 탑재해 '무어의 법칙'을 앞으로도 지속할 것이라고 강조했다. 인텔은 해당 기...