TI, 95% 이상 시스템 효율 달성하는 저전력 GaN 공개

텍사스 인스트루먼트(TI)는 전력 밀도를 개선하고 시스템 효율성을 극대화하며 AC/DC 소비자 가전 및 산업용 시스템의 크기를 줄일 수 있도록 설계된 저전력 질화 갈륨(GaN) 전력 반도체를 공개했다고 1일 밝혔다.

게이트 드라이버가 통합된 새로운 GaN 전계 효과 트랜지스터(FET) 제품군은 일반적인 열 설계 과제를 해결하며 어댑터의 온도를 낮추면서 더 작은 면적에 더 많은 전력을 공급할 수 있다.

TI 고전압 제품 부문 부사장 겸 총괄 매니저 캐넌 사운다라판디안은 "오늘날의 소비자들은 빠르고 에너지 효율적으로 충전할 수 있고, 더 작고 가벼우며 휴대가 간편한 전원 어댑터를 원한다"며 "포트폴리오 확장을 통해 설계 엔지니어들은 휴대폰 및 노트북 어댑터, TV 전원 공급 장치, USB 벽면 콘센트 등 소비자가 매일 사용하는 더 많은 애플리케이션에 저전력 GaN 기술의 전력 밀도가 가지는 이점을 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.

게이트 드라이버가 통합된 새로운 GaN FET 포트폴리오는 정확한 통합 전류 감지 기능을 제공한다. 이 기능으로 엔지니어들은 외부 션트 저항 없이도 개별 GaN 및 실리콘 FET와 함께 사용되는 기존 전류 감지 회로에 비해 관련 전력 손실을 94%까지 줄일 수 있다.

제품은 더 빠른 스위칭 속도를 지원하여 어댑터가 과열되는 것을 방지할 수 있다. 엔지니어들은 75W 미만의 AC/DC 애플리케이션의 경우 최대 94%의 시스템 효율을, 75W 이상의 AC/DC 애플리케이션의 경우 95% 이상의 시스템 효율을 달성할 수 있다. 새로운 장치를 통해 일반적인 67W 전원 어댑터의 솔루션 크기를 실리콘 기반 솔루션에 비해 최대 50%까지 줄일 수 있다.

또한 이 포트폴리오는 반공진 플라이백, 비대칭 하프 브리지 플라이백, 인덕터-인덕터 컨버터, 토템폴 역률 보정 및 액티브 클램프 플라이백과 같은 AC/DC 전력 변환에서 가장 일반적인 토폴로지에 최적화되어 있다.

TI는 15개의 사업장에 웨이퍼 팹, 조립 및 테스트 공장, 범프 및 프로브 시설 등 전 세계의 다양한 지역에 자체 제조 사업을 운영해 온 오랜 역사를 가지고 있으며, GaN 기술 제조에 10년 이상 투자해 왔다.