TI, 유타주 리하이에 300mm 반도체 웨이퍼 팹 짓기로

텍사스 인스트루먼트(TI)가 16일(현지시간) 미국 유타주 리하이에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 팹(제조공장) 건설한다고 발표했다. 

새로운 팹은 리하이에 이미 자리잡고 있는 기존 300mm 반도체 웨이어 팹(LFAB) 옆에 건설되며, 완공 후 두 팹은 하나로 통합돼 운영될 예정이다. 

TI 신임 사장 겸 최고경영자(CEO)로 내정된 하비브 일란(Haviv Ilan)은 "신설되는 팹은 향후 수십년에 걸쳐 예상되는 고객 수요에 대비하기 위한 것"이라고 밝혔다. 

올해 하반기 착공될 새로운 팹은 이르면 오는 2026년 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상된다. TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.

이번 투자는 유타주 역사상 가장 큰 규모로, 110억달러에 이른다. 

리하이 팹 확장은 약 800개의 추가적인 TI 내부 일자리와 수천개의 간접적인 일자리를 창출할 것으로 예상된다. 

스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사는 "TI와 같은 기업들이 지속적으로 유타주에 투자하는 것은 세계 최고 수준의 기업 환경과 우수한 인력을 갖추고 있기 때문"이라고 반겼다.