TI, 전원 관리 신제품 3종 출시

아날로그 반도체 부문 글로벌 1위인 텍사스 인스트르먼트(이하 'TI')가 전원 관리 디바이스 3종을 신규출시했다. TI가 선보인 제품은 기존 제품에 비해 우수한 열 관리로 더 높은 전력 밀도를 달성할 수 있는 게 특징이다. 

신주용 TI 이사는 "코로나19 등으로 인해 더 작은 공간에서 더 많은 전력을 요구하는 업계의 추세와 이러한 전력 밀도를 높이기 위한 열 관리의 중요성이 갈수록 더해지고 있다"며 "전력 밀도를 최대화하기 위해 TI가 혁신적인 전원관리 디바이스 3종을 출시한다"고 21일 밝혔다.

신 이사는 "최근 데이터센터 서버나 통신 중계기가 더 높은 밀도로 구성되면서 전력 소모량이 커지고 열도 많아졌다”며 “100도가 넘어가는 전자 제품이 흔해지면서 온도를 낮추는 반도체와 패키지 설계가 더욱 더 필요해지고 있다”고 말했다. 

실제 이번에 선보인 전원 관리 디바이스는 ▲높은 전력 밀도를 제공하는 동기 벅 컨버터, ▲업계에서 피크 전류가 가장 높은 통합 e휴즈(efuse), ▲상단면 냉각 패키지 디자인을 적용한 GaN FET 등 3종류이다. 

TI의 최신 제품은 축소된 시스템 공간에서 이전에 가능하지 않던 수준의 전력 밀도를 달성하고 시스템 열 관리 기능을 업그레이드하고 시스템 견고성을 높인 것이 특징이다. TI의 이번 신제품은 150도의 내열성을 확보했다.  

동기식 벅 컨버터(TPS566242)는 3V ∼ 16V 입력 전압과 최대 6A 연속 전류를 지원한다. 최대 3A를 지원하는 경쟁사 제품에 비해 두 배 높은 연속 전류를 지원한다. e휴즈는 가장 높은 전류를 지원하고, 프로텍션 기능을 갖춘 스위치로 300A 이상의 엔터프라이즈 및 통신 시스템 디자인에 대한 견고한 보호 기능을 지원한다. 

게이트 드라이버가 통합된 업계 최초의 상단면 냉각 GaN FET로 산업용 및 시스템 수준의 열 솔루션 생성이 가능하다. 

TI 잭 킬비 랩의 전원 관리 R&D 책임자인 제프리 모로니(Jeffrey Morroni) 박사는 "스위칭 주파수를 높이면 전력 밀도를 높일 수 있는 대신에 반대급부로서 스위칭 손실과 그에 따른 온도 상승을 동반한다"며 "전력 밀도를 이전보다 크게 높이기 위해서는 전력 밀도를 제한하는 요인들을 동시에 해결해야 한다:고 말했다.

그는 "TI는 10년 넘게 전원과 질화갈륨(GaN) 연구에 투자해 왔으며, 최적의 성능을 달성하기 위한 고전압 스위칭용 솔루션들을 개발해왔다"고 강조했다.