TI, GaN 전력 반도체 역량 4배 늘렸다

|스마트투데이=한민형 기자| 텍사스 인스트루먼트(이하 'TI')는 일본과 미국 소재 생산시설을 통해 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체의 제조 역량을 종전대비 4 배로 늘렸다고 28일 밝혔다.

TI의 기술 및 제조 담당 수석 부사장인 모하마드 유누스(Mohammad Yunus)는 “TI가 10년 이상 쌓아온 GaN 칩 설계 및 제조 분야의 전문성을 바탕으로 현재 가장 확장 가능하고 비용 경쟁력 있는 200mm GaN 기술을 성공적으로 검증하고 이를 통해 아이주에서 대량 생산을 시작하게 됐다”라고 말했다.

그는 “TI는 2030년까지 내부 제조 비율을 95% 이상으로 확대하면서 더 많은 GaN 칩을 내부에서 제조할 수 있게 된다"며 "TI의 여러 공장에서 에너지 효율적인 고전력 반도체로 구성된 전체 GaN 포트폴리오를 안정적으로 공급할 것”이라고 덧붙였다. 

GaN은 실리콘을 대체하는 반도체 소재로 에너지 효율성, 스위칭 속도, 전력 솔루션 크기와 무게, 전체 시스템 비용, 고온 및 고전압 조건에서의 성능 측면에서 우위를 자랑하고 있다.

GaN 칩은 더 높은 전력 밀도나 더 작은 공간에서 전력을 제공해야 하는 노트북 및 휴대폰용 전원 어댑터 또는 냉난방 시스템 및 가전제품을 위한 더 작고 에너지 효율적인 모터와 같은 애플리케이션을 지원한다.