'삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최

삼성전자가 5세대 고대역폭메모리(HBM) D램 제품 HBM3E '샤인볼트'를 공개했다.
삼성전자는 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다고 21일 밝혔다.
20일(현지시간)열린 이번 행사는 '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석했다. 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.
삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' ▲차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' ▲스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 등 차별화된 메모리 솔루션을 공개했다.
클라우드 시스템은 컴퓨팅 자원을 최적화해 사용할 수 있는 구조로 변화하고 있다. 이에 따라 시스템의 고성능화를 지원할 수 있는 고대역폭, 저전력 메모리와 다중 접속을 위한 스토리지 가상화 등이 요구되고 있다.
2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화한 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도이다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다고 설명했다. NCF(Non-conductive Film, 비전도성 접착 필름)는 적층된 칩 사이를 절연시키고 충격으로부터 연결 부위를 보호하기 위해 사용하는 고분자 물질이다.
삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다. 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.
삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작했으며, 세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이다.
삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며, "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.
이 사장은 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 전했다.
이 밖에도 ▲현존 최대 용량 '32Gb DDR5(Double Data Rate) D램'▲업계 최초 '32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' ▲저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD(Petabyte Storage)' 등을 소개했다.
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